MOSFET）功率器件领域的优先，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，止步！高压mos管产品深圳KIA可易亚电子，专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列产品，可以提供样品，以及有多种封装SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高压mos管产品特点（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数（5）场效应管的抗辐射能力强（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。mos管工作原理图如下：用于NMOS的驱动电路用于PMOS的驱动电路NMOS驱动电路做一个简单分析Vl和Vh分别是低端和的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有，低于。R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的商铺，信息的真实性、准确性和合法性由该信息的来源商铺所属企业完全负责。本站对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。
友情提醒： 建议您在购买相关产品前务必确认资质及产品质量，过低的价格有可能是虚假信息，请谨慎对待，谨防上当受骗。