水冷装置在作此项调试时,必须通水冷却。当调试场地的电源供不出装置的额定电流时,额定电流的整定,可放在现场满负荷运行时进行。但是,应先在小电流的状况下,判定一下电流取样回路的工作是否正常。(W5)主控板上的DIP开关均拨在OFF位置,面板上的“给定”电位器逆时针旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管壳上,测逆变触发脉冲的它激频率(它激频率可以通过W6来调节),调节W5微调电位器,使频率表的读数与示波器测得的相一致。若中频电源用的是**中频频率表,则可免去此步调试。但还是推荐使用直流毫安表头改制的频率表,这一方面是可以测得比较高它激频率,另一方面是价格便宜。(W6)首先检查逆变晶闸管的门级线连接是否正确,逆变未级上的LED亮度是否正常,不亮则说明逆变末级的E和C接线端子接反了;再把主控板上CON3-5对外的连线解掉,看熄灭的LED逆变末级是否处在逆变桥的对角线位置。把主控板上的DIP开关均拨在OFF位置,把面板上的“给定”电位器逆时针旋到底,调节控制板上的W6微调电位器,使比较高它激频率高于槽路谐振频率的,W3、W4微调电位器旋在中间位置。把面板上的“给定”电位器顺时针稍微旋大,这时它激频率开始从高往底扫描(从频率表中可以看出)。正高电气技术力量雄厚,工装设备和检测仪器齐备,检验与实验手段完善。MTDC320晶闸管智能模块配件

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。(二)按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。(三)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。威海MTDC500晶闸管智能模块正高电气受行业客户的好评,值得信赖。

限流作用的强弱调节使静止的。无接触的。非机械式的,这就为微电子技术打开了大门。所以,在工作原理上磁控软起动和晶闸管软起动是完全相同的。说磁饱和软起动能实现软停止,能够具有晶闸管软起动所具有的几乎全部功能,其原因概出于此。高压磁饱和电抗器在原理和结构上与低压(380V)磁饱和电抗器没有本质的区别,只是在某些方面需要采取一些特殊的处理罢了。磁饱和电抗器具有,这使磁控软起动的快速性比晶闸管慢一个数量级。对于电动机系统的大惯性来说,磁控软起动的惯性是不足为虑的。有人说磁控软起动不产生高次谐波,这是错误的。只要饱和。就一定会有非线性,就一定会引起高次谐波,只是磁饱和电抗器产生的高次谐波会比工作于斩波状态的晶闸管要小一些。磁控软起动装置需要有相对较大功率的辅助电源,噪声较大则是其不足之处。三、晶闸管软起动晶闸管软起动产品的问世是当今电力电子器件长足进步的结果。在很多年以前电气工程界就有人指出,晶闸管软起动将引发软起动行业的一场**。晶闸管软启动器主要性能优于液阻软起动。与液阻软起动相比,它体积小,结构紧凑,维护量小,功能齐全,菜单丰富,起动重复性好,保护周全,这些都是液阻软起动难以望其项背的。
:触发脉峰值电压:≥22V触发脉峰值电流:≥3A触发脉冲前沿陡度:≥2A/μS(逆变的触发脉冲变压器是外接的)比较大外型尺寸:238×175×40mm。:控制板在检测到故障信号时,输出一组接点信号,该接点容量为AC:5A/220V:DC:10A/28V。6、电路原理整个控制电路除逆变末级触发单元外,做成一块印刷电路板结构。功能上包括电源、整流触发、调节器、逆变、启动演算等,除调节器为模拟运算电路外,其余均为数字电路。组成该控制板的集成电路为IC6,型号为MPU-2,它是一块**超大规模数字集成电路,有3路时钟输入口,31路输入/输出口,内部功能包括整流移相触发、相序自适应、逆变触发、逆变引前角锁定、逆变重复起动、过流保护、过压保护、缺相保护、水压低保护、控制板欠压保护,另外还有三个。这部分电路包括三相同步、相序自适应、压控时钟、数字触发、末级驱动等电路。三相同步信号直接由晶闸管的门极引线K4、K6、K2从主回路的三相进线上取得,由R3、C1、R7、C2、R11、C3进行滤波,再经6只光电耦合器进行电位隔离,获得6个相位互差60度的矩形波同步信号(低电平有效),输入到IC6的5P-10P。在IC6的内部有相序自适应电路,确保了中频电源的三相交流输入可以不分相序。正高电气生产的产品质量上乘。

过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护功能的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。正高电气以诚信为根本,以质量服务求生存。威海MTDC500晶闸管智能模块
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[1]单结管即单结晶体管,又称为双基极二极管,是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有:①分压比η,指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚,分别是:发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的增加,大量空穴从发射极注入硅晶体,导致发射极与基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时,万用表置于“R×1k”挡。MTDC320晶闸管智能模块配件
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