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晶闸管智能模块的选择

晶闸管智能模块是电加热炉控制装置中**关键的功率器件，整机装置是否工作可靠与正确选择智能可控硅调压模块的额定电压、额定电流等参数有很大关系，选型的原则是考虑工作可靠性，即电流、电压必须留有足够余量。一般加热炉额定电压为380V，选择工作电压为460V的晶闸管智能模块，其他电压的晶闸管智能模块需要订做。对晶闸管智能模块电流的选择，必须考虑加热炉炉丝（或加热件）的额定工作电流及智能可控硅调压模块的比较大输出电压值，如果加热丝为NTC或PTC特性的（即加热丝额定电流随温度变化，开机时温度很低，额定电流会很大或加热到比较高温度时，额定电流会很大或加热到比较高温度时，额定电流会很大），必须考虑加热丝整个工作状态的比较大电流值，作为加热丝的额定电流值来确定晶闸管智能模块的规格大小。 正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种，为用户提供了更多的选择空间。山东晶闸管智能模块供应商

    通过W1微调电位器可整定过流电平。当三相交流输入缺相时，本控制板均能对电源实现保护和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶闸管的阴极（K）分别取A、B、C三相电压信号（通过门极引线），经过光电耦合器的隔离送到IC6进行检测和判别，一旦出现“缺相”故障时，除了整流触发脉冲外，还驱动“”LED指示灯以及报警继电器。为了使控制电路能够更可靠准确的运行，控制电路上还设置了启动定时器和控制电源欠压检测保护。在开机的瞬间，控制电路的工作是不稳定的，设置一个3秒钟左右的定时器，待定时过后，才容许输出触发脉冲。这部分电路由IC2B等元件构成。若由于某种原因造成控制板上直流供电电压过低，稳压器不能稳压，亦会使控制出错。设置一个欠压检测电路（由IC2A等组成），当电压低于整流触发脉冲，防止不正确的触发，同时点亮“”LED批示灯和驱动报警继电器。自动重复起动电路在IC8内部。微动开关DIP-1用于关闭自动重复起动电路。Q2组成中频过电压检测，输入到IC6的29P，整流触发脉冲；驱动“”LED指示灯亮和驱动报警继电器；同时使过压保护振荡器起振。过电压保护动作后，也像过流保护一样，只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”，方可再次运行。滨州MTDC150晶闸管智能模块组件正高电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。

晶闸管智能模块的保护

在实际应用中，除合理选择智能可控硅调压模块的额定电压及电流外，还必须采取有效的保护措施来保证晶闸管智能模块能可靠工作。

过热保护：晶闸管智能模块与其他功率器件一样，在实际工作中由于自身功耗，都会引起芯片温度上升，温度过高后，会使漏电流增加，芯片特性变软，直至过热击穿，在实际应用中，通常采用强迫风冷的方法来及时散除晶闸管工作时产生的热量，控制散热器比较高温度不超过75°，使晶闸管智能模块在安全温度下工作。

    而称之为主电极T1、T2。[15]检测单向晶闸管：万用表置于“R×10Ω”挡，黑表笔接控制极G，红表笔接阴极K，测量其正向电阻，应有较小的阻值。对调两表笔测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。测量控制极G与阳极A之间的正、反向电阻，均应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，不论正、反向均不应导通，否则晶闸管已坏。[16]检测双向晶闸管：万用表置于“R×1Ω”挡，两表笔测量控制极G与主电极T1间的正、反向电阻，均应为较小阻值。测量控制极G与主电极T2间的正、反向电阻，均应为无穷大。[17]检测单向晶闸管导通特性：万用表置于“R×1Ω”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为无穷大。用螺丝刀等金属物将控制极G与阳极A短接一下（短接后即断开），表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。检测双向晶闸管导通特性：黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大。将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。如不符合上述情况则说明晶闸管已损坏。[18]晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）的作用，并具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、开关速度快等优点。诚挚的欢迎业界新朋老友走进正高电气！

    以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值。以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。滨州MTDC150晶闸管智能模块组件

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    [1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。山东晶闸管智能模块供应商

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