淄博MTDC200晶闸管智能模块 淄博正高电气供应

    中频电压互感器过来的中频电压信号由CON2-1和CON2-2输入后，分为两路，一路由IC1A进行电平转换后送到IC6的30P，另一路经D7-D10整流后，又分为两路，一路送到电压/电流调节器，另一路送到过电压保护。由主回路交流互感器取得的电流信号，先在外部转换成电压信号，从CON2-3、CON2-4、CON2-5输入，经二极管D11-D16整流后，再分为两路，一路作为过流保护信号，另一路作为电压/电流调节器的反馈信号。本电路逆变触发部分，采用的是扫频式零压软起动，只需取一路中频电压反馈信号，无需槽路中频电容器上的电流信号，其本质上相当于它激转自激电路，属于平均值反馈电路。由于主回路上无需附加任何起动电路，不需要预充磁或预充电的起动过程，因此，主回路得以简化，调试过程简单。起动过程大致是这样的，在逆变电路起动前，先以一个高于槽路谐振频率的它激信号去触发逆变晶闸管，当电路检测到主回路开始有直流电流时，便控制它激信号的频率从高向低扫描，同时加大主回路的直流电流，当它激信号频率下降到接近槽路谐振频率时，中频电压便建立起来，并反馈到自动调频电路。自动调频电路一旦投入工作，便停止它激信号的频率往低扫描动作，转由自动调频电路控制逆变动引前角。正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。淄博MTDC200晶闸管智能模块

    软启动器可分为有级和无极两类，前者的调节是分档的；后者的调节是连续的。传统的软起动器均是有级的。下面我们就是主要介绍下无级类，它们是液阻软起动、磁控软起动和晶闸管软起动。在电动机定子回路，通过串入有限流作用的电力电子器件实现软起动，叫做降压或者限流软起动，它是软起动中的一个重要类别。按限流器件不同可分为：以电解液限流的液阻软起动，以磁饱和电抗器为限流启动的磁控软启动，以晶闸管为限流器件的晶闸管软起动。变频调速器也是一种软起动装置，它是比较理想的一种，它可以在限流同时保持高的起动转矩。价格贵是制约其作为软起动应用的重要因素，它主要用在变频调速系统中。一、液阻软起动器液阻是一种由电解液形成的电阻，它导电的本质是离子导电。它的阻值正比相对的二块电极板的距离，反比于电解液的电导率，极板距离和电导率都便于控制；液阻的热容量大。液阻的这两大特点（阻值可以无级控制和热容量大），恰恰是软起动所需要的。液阻软起动也有缺点：一是液阻箱容积大，其根源在于阻性限流，减小容积引起温升加大。一次软起动后电解液通常会有10-30摄氏度的温升，使软启动的重复性差。二是移动极板需要有一套伺服机构，它的移动速度较慢。淄博MTAC450晶闸管智能模块组件正高电气以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。

    额定电压V1mA的下限是线路工作电压峰值，考虑到电网电压的波动以及多次承受冲击电流以后V1mA值可能下降，因此，额定电压的取值应适当提高。目前通常采用30[%]的余量计算。V1mA≥√2・U式中U――压敏电阻两端正常工作电压的有效值。压敏电阻的数量：三相整流模块和三相交流模块均为三只、单相整流模块和单相交流模块均为一只。全部接在交流输入端。3、过热保护晶闸管在电流通过时，会产生一定的压降，而压降的存在则会产生一定的功耗，电流越大则功耗越大，产生的热量也就越大。如果不把这些热量快速散掉，会造成烧坏晶闸管芯片的问题。因此要求使用晶闸管模块时，一定要安装散热器。散热条件的好坏，是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不但能够保证模块可靠工作、防止模块过热烧毁，而且能够提高模块的电流输出能力。建议用户在使用大电流规格模块的时候尽量选择带过热保护功能的模块。当然，即便模块带过热保护功能，而散热器和风机也是不可缺少的。在使用中，当散热条件不符合规定要求时，如室温超过40℃、强迫风冷的出口风速不足6m/s等，则模块的额定电流应立即降低使用，否则模块会由于芯片结温超过允许值而损坏。譬如。

    普通晶闸管普通晶闸管（SCR）是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管组成的组合管，如图8-5所示。当晶闸管反向连接（即A极接电源负端，K极接电源正端）时，无论门极G所加电压是什么极性，晶闸管均处于阻断状态。当晶闸管正向连接（即A极接电源正端，K极接电源负端）时，若门极G所加触发电压为负时，则晶闸管也不导通，只有其门极G加上适当的正向触发电压时，晶闸管才能由阻断状态变为导通状态。此时，晶闸管阳极A极与阴极K极之间呈低阻导通状态，A、K极之间压降约为1V。普通晶闸管受触发导通后，其门极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，晶闸管将维持低阻导通状态。只有把阳极A电压撤除或阳极A、阴极K之间电压极性发生改变（如交流过零）时，普通晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻阻断状态。普通晶闸管一旦阻断，即使其阳极A与阴极K之间又重新加上正向电压，仍需在门极G和阴极K之间重新加上正向触发电压后方可导通。普通晶闸管的导通与阻断状态相当于开关的闭合和断开状态。正高电气公司可靠的质量保证体系和经营管理体系，使产品质量日趋稳定。

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气受行业客户的好评，值得信赖。淄博MTDC200晶闸管智能模块

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    电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。淄博MTDC200晶闸管智能模块

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