晶闸管智能模块电流规格的选取方法
考虑到晶闸管智能模块产品一般都是非正弦电流,存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素,且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差,在选取模块电流规格时需要留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算:
I>K×I负载×U较大∕U实际
K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;
I负载:负载流过的较大电流; U实际:负载上的较大电压;
U较大:模块能输出的较大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);
I:需要选择模块的较大电流,模块标称的电流一定要大于该值。
例:某系统用三相整流模块电炉调温,380V输入,输出电流130A,输出直流电压可调350V~450V,应选择什么型号的模块?
选择方法:三相整流模块,380V输入,较大输出直流电压为380×1.35=513V,电炉为阻性负载,按公式输出电流应不小于1.5×130×513/350=285.81A,可选取接近(但一定要大于)值,即320A的模块,型号为:3MTDC320。 正高电气倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。淄博MTAC20晶闸管智能模块批发

晶闸管智能模块工作原理
晶闸管智能模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定。
晶闸管智能模块过压保护:
晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大,持续时间较长的过电压,此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿,为了保护晶闸管,常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压,有效避免晶闸管被击穿。 淄博MTAC20晶闸管智能模块批发正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。

电压很容易对晶闸管模块造成损坏,那么,我们就要了解过电压保护,保护晶闸管模块,不让其受过电压损坏。要保护晶闸管,就要知道过电压是怎么产生的?从而去避免。以下是为大家列举的详细情况:晶闸管模块对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管模块就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高。
使C5上的电压达到双向触发二极管的转折电压,以保证在低输出电压下双向晶闸管仍能导通。适当调节R4,就可以得到较低的起调电压。另一个缺点是双向晶闸管导通瞬间的突变电流形成的脉冲干扰,会影响调幅收音机和一些通信设备的正常工作,简易型调压器不能这种脉冲干扰。怎么晶闸管导通瞬间产生的电磁干扰呢?可以利用滤波电路。电感L串联在主电路上,对突变电流呈现很大的阻抗,起到了平滑滤波作用;R1、C1支路并联在电源线上,将高频干扰电流旁路。此外,与负载RL并联的R2、C3支路进一步滤除了负载电流突变产生的脉冲干扰。这样,由于采用了双重滤波电路,起到了较强的干扰的作用。调压器的氖管闪光电路的原理我还不太明白。由二极管VD、氖管ND、电容器C2和电阻R3组成了氖管闪光指示电路,它并联在负载两端,负载RL两端的交流电压,经二极管VD半波整流后得到的半波脉动直流电压给C2充电,当C2上的电压达到氖管的导通电压时,C2通过氖管迅速放电,使氖管闪亮一下。C2放电后又继续被充电,氖管就会不停地闪亮。我提个问题。如果手头上没有双向触发二极管。可以用哪些元器件代换呢?双向晶闸管触发电路的形式是多种多样的一种是用试电笔里的氖管替换双向触发二极管。正高电气不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。

传统的电加热行业使用的功率器件一般采用分离晶闸管+晶闸管触发板的方式来完成对变压器初级或次级的调压;加热行业往往工作环境很恶劣,粉尘飞扬,温度变化较大,湿度较高,长时间工作后会出现触发板工作失常,造成晶闸管击穿,导致设备停产,产品报废等,给生产造成严重损失。并且普通电工无法完成维修工作,必须专业人员进行操作。为了避免出现上述问题,比较好采用密封性好,工作环境适应能力强,安装维修方便的晶闸管智能模块来替代传统的方式。晶闸管智能模块是把晶闸管主电路与移向触发系统(即触发板)集成共同封装在一个塑料外壳内,从而省去了触发板与晶闸管之间的连接线、晶闸管与晶闸管之间的连接线,减小了接线错误的几率,维护方便,普通电工即可完成操作,省去人员成本。把触发板封装到模块内,环境中的粉尘、湿气等都不会对其产生影响,增加了可靠性。 正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。淄博MTAC20晶闸管智能模块批发
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晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。淄博MTAC20晶闸管智能模块批发
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