广州光刻加工 广东省科学院半导体研究所供应

光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。1.清洗：清洗衬底表面的有机物。2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准，在紫外光下曝光一定的时间。4.显影：将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。光刻间的照明光为黄光。广州光刻加工

光刻胶原料是光刻胶产业的重要环节，原料的品质也决定了光刻胶产品品质。光刻胶上游原材料是指光刻胶化学品一级原料，可以细分为感光剂、溶剂、成膜树脂及添加剂（助剂、单体等）。在典型的光刻胶组分中，一般溶剂含量占到65%-90%，成膜树脂占5%-25%，感光剂及添加剂占15%以下。我国对光刻胶及化学品的研究起步较晚，尽管取得了一定成果，但技术水平仍与国际水平相差较大，作为原料的主要化学品仍然需要依赖进口。同时在当前市场中，受光刻胶产品特性影响，光刻胶用原材料更偏向于客制化产品，原材料需要满足特定的分析结构、分子量、纯度以及粒径控制等。广州光刻精确的化学机械抛光（CMP）是光刻后的必要步骤。

基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构，受光学衍射的极限，适用于微米以上尺度的微细结构制作，部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如，接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm，采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来，国内外比较多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等，力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作，但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。

目前，国内光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。国内企业基于危机意识在上游原材料领域已展开相关布局。从上市公司在光刻胶原材料的布局情况来看，溶剂方面有百川股份、怡达股份等，单体有华懋科技（投资徐州博康）、联瑞新材等，树脂有彤程新材、圣泉集团、强力新材等，光引发剂有强力新材等。在这之中，徐州博康作为光刻胶全产业链选手，在国内光刻胶这条赛道上，已经实现了从单体到树脂、光酸、配套溶剂到光刻胶产品的全产业链生产能力。光刻机曝光时的曝光剂量的确定。

二氧化硅的湿法刻蚀通常使用HF。因为1∶1的HF（H2O中49%的HF）在室温下刻蚀氧化物速度过快，所以很难用1∶1的HF控制氧化物的刻蚀。一般用水或缓冲溶剂如氟化铵（NH4F）进一步稀释HF降低氧化物的刻蚀速率，以便控制刻蚀速率和均匀性。氧化物湿法刻蚀中所使用的溶液通常是6∶1稀释的HF缓冲溶液，或10∶1和100∶1的比例稀释后的HF水溶液。的半导体制造中，每天仍进行6∶1的缓冲二氧化硅刻蚀（BOE）和100∶1的HF刻蚀。如果监测CVD氧化层的质量，可以通过比较CVD二氧化硅的湿法刻蚀速率和热氧化法生成的二氧化硅湿法刻蚀速率，这就是所谓的湿法刻蚀速率比。热氧化之前，HF可用于预先剥除硅晶圆表面上的原生氧化层。UV-LED 光源具有光强更高、稳定性更好的特点。广州光刻

每一代光刻机的进步都伴随着挑战与突破。广州光刻加工

高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作，这类光刻技术，像“写字”一样，通过控制聚焦电子束（光束）移动书写图案进行曝光，具有比较高的曝光精度，但这两种方法制作效率极低，尤其在大面积制作方面捉襟见肘，目前直写光刻技术适用于小面积的微纳结构制作。近年来，三维浮雕微纳结构的需求越来越大，如闪耀光栅、菲涅尔透镜、多台阶微光学元件等。据悉，某公司新上市的手机产品中人脸识别模块就采用了多台阶微光学元件，以及当下如火如荼的无人驾驶技术中激光雷达光学系统也用到了复杂的微光学元件。这类精密的微纳结构光学元件需采用灰度光刻技术进行制作。直写技术，通过在光束移动过程中进行相应的曝光能量调节，可以实现良好的灰度光刻能力。广州光刻加工