以及然后b)获得电压的指数函数,其中该函数通过两个点或者在多于两个点的情况下则靠近点。然后,饱和电流密度是指数函数针对零电压的值。在步骤a)期间,特性的每个点的电压值被测量,使得它基本上不包括例如在1mv内的、二极管的寄生接入电阻的电压降。每个点的电流密度对应于流过二极管的电流值除以俯视图中沟槽之间的表面积。在步骤b)中,推荐地通过将电流密度的对数与指数函数的对数之间的差的平方和小化来确定指数函数。当二极管被反向偏置时,由区域306通过层308引起的静电影响使得能够限制沟道区域和漏极区域中的电场(即,相对于区域306和层308不在那里的情况下的电场,减小了该电场)。这限制了二极管中的漏电流。此外,这使得能够在漏极区域的给定掺杂水平下增加雪崩电压以及/或者在给定雪崩电压下增加漏极区域的掺杂水平。增加漏极区域的掺杂水平的优点在于,当该掺杂水平高时,二极管的电导率更大,并且当电流在正向方向上流动时,二极管中的电压降因此受到限制。作为示例,漏极区域具有的掺杂水平在从。沟道区域具有的掺杂水平例如在从。此外,沟槽被分离的距离例如在从μm到μm的范围内)。在沟道区域的较低水平下。
所以交流信号正半周超出部分被去掉(限制),其超出部分信号其实降在了集成电路A1的①脚内电路中的电阻上(图中未画出)。当集成电路A1的①脚直流和交流输出信号的幅度小于,这一电压又不能使3只二极管导通,这样3只二极管再度从导通转入截止状态,对信号没有限幅作用。3.电路分析细节说明对于这一电路的具体分析细节说明如下。1)集成电路A1的①脚输出的负半周大幅度信号不会造成VT1过电流,因为负半周信号只会使NPN型三极管的基极电压下降,基极电流减小,所以无须加入对于负半周的限幅电路。2)上面介绍的是单向限幅电路,这种限幅电路只能对信号的正半周或负半周大信号部分进行限幅,对另一半周信号不限幅。另一种是双向限幅电路,它能同时对正、负半周信号进行限幅。3)引起信号幅度异常增大的原因是多种多样的,例如偶然的因素(如电源电压的波动)导致信号幅度在某瞬间增大许多,外界的大幅度干扰脉冲窜入电路也是引起信号某瞬间异常增大的常见原因。4)3只二极管VD1、VD2和VD3导通之后,集成电路A1的①脚上的直流和交流电压之和是,这一电压通过电阻R1加到VT1基极,这也是VT1高的基极电压,这时的基极电流也是VT1大的基极电流。
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