辽宁二极管金属 江苏芯钻时代电子科技供应

    由此形成在腔502的壁上的热氧化物层304可以在衬底和区域306的上表面上连续。在图2e的步骤中，腔502被填充，例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的，例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。因此在区域306的任一侧上获得两个区域302。在图2f的步骤中，去除位于衬底以及区域302和306的上表面上的可能元件，诸如层304的可接近部分。然后形成可能的层42和层40。通过图2a至图2f的方法获得的结构30的变型与图1的结构30的不同之处在于，区域306与区域302分离并且一直延伸到层40或可能的层42，并且该变型包括在区域306的任一侧上的两个区域302。每个区域302与层40电接触。每个区域302通过层304与衬底分离。可以通过与图2a至图2f的方法类似的方法来获得结构30a，其中在图2b和图2c的步骤之间进一步提供方法来形成掩蔽层，该掩蔽层保护位于沟槽22的单侧上的壁上的层308，并且使得层308在沟槽的另一侧上被暴露。在图2c的步骤中获得单个腔502。已描述了特定实施例。本领域技术人员将容易想到各种改变、修改和改进。特别地，结构30和30a及其变体可以被使用在利用衬底上的传导区域通过绝缘层的静电影响的任何电子部件(例如，晶体管)。

    沟槽穿透到衬底中向下至例如μm和8μm之间的水平。图2a至图2f图示了使用与图1的结构30相同的元件制造图1的结构30的变型的方法的实现方式的连续步骤。在图2a的步骤中，将沟槽22蚀刻到衬底中。为了实现这一点，作为示例，衬底被覆盖有未示出的掩模层，掩膜层例如由氧化硅制成。例如通过光刻将开口形成到未来沟槽位置上方的掩模层中，之后对沟槽进行蚀刻。然后去除掩蔽层。此后，例如通过沟槽壁的热氧化和/或通过沉积氧化硅层，共形地形成层308。层308覆盖沟槽壁。层308还可以覆盖沟槽外部的衬底20。层308的厚度小于沟槽宽度的一半，使得开口500保持在沟槽的中心处。在图2b的步骤中，利用区域306的传导材料来填充开口500，例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的，例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。由此获得区域306。在图2c的步骤中，从未来区域302的上表面到下部水平蚀刻层308。作为示例，化学地执行蚀刻。因此，在区域306的任一侧上、在沟槽的上部部分中获得腔502。在图2d的步骤中，形成层304。为此目的，作为示例，沟槽壁和区域306的在图2c的步骤中可以接近的部分被热氧化。

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