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二极管的特性举例

  1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

  对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，当正向电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。

  2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

  P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

  温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

  3、反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

  当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

二极管的相关参数

  1、比较高反向工作电压

  加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了比较高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

  2、 反向电流

  反向电流是指二极管在规定的温度和比较高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流*为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

  3、比较大整流电流

  是指二极管长期连续工作时允许通过的比较大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

  4.动态电阻Rd

  二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

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