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半导体分立器件如何分类？分立器件当燃是二极管，三极管，MOS晶体管，JFET晶体管几大类了如果细分的话，如晶闸管，快速二极管等，就得看半导体器件相关的书了当然也可以包括电阻，电感，电容，这是分立器件，不是半导体分立器件。半导体IC
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1．正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。2．测量转折电压测量双向触发二极管的转折电压
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晶体管公共发射极（CE）配置：在此电路中，放置了发射极输入和输出通用。输入信号施加在基极和发射极之间，输出信号施加在集电极和发射极之间。Vbb和Vcc是电压。它具有高输入阻抗，即（500-5000欧姆）。它具有低输出阻抗，即（50
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晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部
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2026-08
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RF（r）---正向微分电阻.在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性.在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL-
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