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深圳数字晶体管 欢迎来电 深圳市凯轩业供应

ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---比较大输出平均电流IFMP---正向

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深圳晶体管销售代理 值得信赖 深圳市凯轩业供应

晶体管结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。结构如图(a)所示,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的N区是发射区,掺杂浓度很高;位于下层的N区是集电区,面

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产生热量的速度等于热量耗散的速度时,在相当长的时间内它也不会熔断。若产生热量的速度大于热量耗散的速度时,那么产生的热量就会越来越多。又因为它有一定比热及质量,其热量的增加就表现在温度的升高上,当温度升高到保险丝的熔点以上时保险丝就

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额定电流额定电流是自恢复保险丝能长期工作的比较大电流。假设保护电流为Ir,应该选用自恢复保险丝的额定电流为In,则两者应满足以下条件In=Ir/(fo*f1),fo为对不同规范自恢复保险丝的折减率,对ICE规范的自恢复保险丝可以不

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1、自恢复保险丝6V系列产品适用于工作电压较低、工作电流相对较小的电路中,如电脑、电脑外设、玩具行业等领域。2、自恢复保险丝16V系列产品适用于工作电压较低、工作电流较大的电路中,可***应用于电源转换器、摩托车、汽车、电脑电源、

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