新闻中心
您当前的位置:首页 > 新闻中心
-
03
2025-09
星期 三
-
广州功率器件真空镀膜 广东省科学院半导体研究所供应
PECVD技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态
-
03
2025-09
星期 三
-
广州氧化硅材料刻蚀平台 广东省科学院半导体研究所供应
深硅刻蚀设备的未来展望是指深硅刻蚀设备在未来可能出现的新技术、新应用和新挑战,它可以展示深硅刻蚀设备的创造潜力和发展方向。以下是一些深硅刻蚀设备的未来展望:一是新技术,即利用人工智能或机器学习等技术,实现深硅刻蚀设备的智能控制和自
-
03
2025-09
星期 三
-
广州MEMS材料刻蚀公司 广东省科学院半导体研究所供应
磁存储芯片制造中,离子束刻蚀的变革性价值在于解决磁隧道结侧壁氧化的世界难题。通过开发动态倾角刻蚀工艺,在磁性多层膜加工中建立自保护界面机制,使关键的垂直磁各向异性保持完整。该技术创新性地利用离子束与材料表面的物理交互特性,在原子尺
-
03
2025-09
星期 三
-
广州半导体材料刻蚀厂家 广东省科学院半导体研究所供应
氧化硅刻蚀制程是一种在半导体制造中常用的技术,它可以实现对氧化硅薄膜的精确形貌控制,以满足不同的器件设计和功能要求。氧化硅刻蚀制程的主要类型有以下几种:湿法刻蚀:利用氧化硅与酸或碱溶液的化学反应,将氧化硅溶解掉,形成所需的图案。这
-
03
2025-09
星期 三
-
广州ICP材料刻蚀公司 广东省科学院半导体研究所供应
射频器件是指用于实现无线通信功能的器件,如微带天线、滤波器、开关、振荡器等。深硅刻蚀设备在这些器件中主要用于形成高质因子(Q)的谐振腔、高选择性的滤波网络、高隔离度的开关结构等。功率器件是指用于实现高电压、高电流、高频率和高温度下

