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2025-12

星期 六

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产品概述MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET)是一种以栅极电压控制电流的半导体器件,具有高输入阻抗、低功耗、高速开关等**优势,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、新能源等领域。其**结构由源极(S)、漏极(D

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根据结构与工作方式,MOSFET可分为多个类别,主要点差异体现在导电沟道类型、衬底连接方式及工作模式上。按沟道类型可分为N沟道(NMOS)和P沟道(PMOS):NMOS需正向栅压导通,载流子为电子(迁移率高,导通电阻小),是主流应

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新能源汽车:三电系统的“动力枢纽”电机驱动(**战场):场景:主驱电机(75kW-300kW)、油泵/空调辅驱。技术:车规级SiCMOS(1200V/800A),结温175℃,开关损耗比硅基MOS低70%,支持800V高压平台(如

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IGBT在新能源汽车领域是主要点功率器件,频繁应用于电机逆变器、车载充电器(OBC)与DC-DC转换器,直接影响车辆的动力性能与续航能力。在电机逆变器中,IGBT模块组成三相桥式电路,通过PWM控制实现直流电到交流电的转换,驱动电

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散热条件:为了确保IPM模块在过热保护后能够自动复原并正常工作,需要提供良好的散热条件。这包括确保散热风扇、散热片等散热组件的正常工作,以及保持模块周围环境的通风良好。故障排查:如果IPM模块频繁触发过热保护,可能需要进行故障排查

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