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2025-09
星期 四
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IPM的本质是将电力电子系统的**功能浓缩到一颗芯片，通过集成化解决了IGBT应用中的三大痛点：驱动设计复杂、保护响应滞后、散热效率低下。未来随着碳化硅（SiC）与IPM的融合（如Wolfspeed的SiC-IPM模块），其应用将
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2025-09
星期 四
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驱动器功率缺乏或选项偏差可能会直接致使IGBT和驱动器毁坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方式以供选型时参见。IGBT的开关属性主要取决IGBT的门极电荷及内部和外部
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2025-09
星期 三
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随着功率电子技术向“高集成度、高功率密度、高可靠性”发展，IPM正朝着功能拓展、材料升级与架构创新三大方向突破。功能拓展方面，新一代IPM不只集成传统的驱动与保护功能，还加入数字控制接口（如SPI、CAN），支持与微控制器（MCU
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2025-09
星期 三
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IPM的封装材料升级是提升其可靠性与散热性能的关键，不同封装材料在导热性、绝缘性与耐环境性上差异明显，需根据应用场景选择适配材料。传统IPM多采用环氧树脂塑封材料，成本低、工艺成熟，但导热系数低（约0.3W/m・K）、耐高温性能差
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2025-09
星期 三
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IPM像“智能配电箱”——IGBT是开关，驱动IC是遥控器，保护电路是保险丝+温度计，所有元件集成在一个盒子里，自动处理跳闸、过热等问题。物理层：IGBT阵列与封装器件集成：通常包含6个IGBT（三相桥臂）+续流二极管，采用烧结工
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