新闻中心
您当前的位置:首页 > 新闻中心
-
20
2025-08
星期 三
-
广州海珠刻蚀炭材料 广东省科学院半导体研究所供应
硅的酸性蚀刻液:Si与HNO3、HF的混合溶液发生反应,硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理
-
20
2025-08
星期 三
-
广州增城刻蚀工艺 广东省科学院半导体研究所供应
干法刻蚀设备的发展前景是广阔而光明的,随着半导体工业对集成电路微型化和集成化的需求不断增加,干法刻蚀设备作为一种重要的微纳加工技术,将在制造高性能、高功能和高可靠性的电子器件方面发挥越来越重要的作用。干法刻蚀设备的发展方向主要有以
-
20
2025-08
星期 三
-
广州荔湾刻蚀液 广东省科学院半导体研究所供应
现代离子束刻蚀装备融合等离子体物理与精密工程技术,其多极磁场约束系统实现束流精度质的飞跃。在300mm晶圆量产中,创新七栅离子光学结构与自适应控制算法完美配合,将刻蚀均匀性推至亚纳米级别。突破性突破在于发展出晶圆温度实时补偿系统,
-
20
2025-08
星期 三
-
广州真空镀膜服务价格 广东省科学院半导体研究所供应
LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种:(1)水平式LPCVD设备,是指反应室呈水平圆筒形,衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上,气体从一端进入,从另一端排出;(2)垂直式L
-
20
2025-08
星期 三
-
广州花都刻蚀加工公司 广东省科学院半导体研究所供应
干法刻蚀(DryEtching)是使用气体刻蚀介质。常用的干法刻蚀方法包括物理刻蚀(如离子束刻蚀)和化学气相刻蚀(如等离子体刻蚀)等。与干法蚀刻相比,湿法刻蚀使用液体刻蚀介质,通常是一种具有化学反应性的溶液或酸碱混合液。这些溶液可

