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2025-08

星期 五

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这种方法的优点是刻蚀均匀性好,刻蚀侧壁垂直,适合高分辨率和高深宽比的结构。缺点是刻蚀速率慢,选择性低,设备复杂,成本高。混合法刻蚀:结合湿法和干法的优势,采用交替或同时进行的湿法和干法刻蚀步骤,实现对氧化硅的高效、精确、可控的刻蚀

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2025-08

星期 四

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。ICP类型具有较高的刻蚀速率和均匀性,但由于离子束和自由基的比例难以控制,导致刻蚀的方向性和选择性较差,以及扇形效应较大等缺点;三是磁控增强反应离子刻蚀(MERIE),该类型是指在RIE类型的基础上,利用磁场增强等离子体的密度和

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2025-08

星期 四

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真空系统:真空系统是深硅刻蚀设备中用于维持低压工作环境的系统,它由一个真空泵、一个真空计、一个阀门等组成。真空系统可以将反应室内的压力降低到所需的工作压力,一般在0.1-10托尔之间。真空系统还可以将反应室内产生的副产物和未参与反

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2025-08

星期 四

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湿法蚀刻的影响因素分别为:反应温度,溶液浓度,蚀刻时间和溶液的搅拌作用。根据化学反应原理,温度越高,反应物浓度越大,蚀刻速率越快,蚀刻时间越短,搅拌作用可以加速反应物和生成物的质量传输,相当于加快扩散速度,增加反应速度。当图形尺寸

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星期 四

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深硅刻蚀设备在微电子机械系统(MEMS)领域也有着广泛的应用,主要用于制作微流体器件、图像传感器、微针、微模具等。MEMS是一种利用微纳米技术制造出具有机械、电子、光学、热学、化学等功能的微型器件,它可以实现传感、控制、驱动、处理

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